位于国际创新协同区的企业——瞻芯电子，正式发布了其自主研发的首片国产6英寸碳化硅（SiC）晶圆产品。这一重大技术突破，标志着我国在宽禁带半导体这一关键战略材料领域取得了里程碑式的进展，产品性能已达到国际先进水平，为国内新能源汽车、光伏发电、轨道交通、5G通信等高端产业的核心功率器件自主可控，注入了强劲的“芯”动力。
碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，因其具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等优异物理特性，被誉为“绿色能源芯片”的核心基石。与传统硅基器件相比，碳化硅功率器件能显著降低能源转换损耗、提高系统效率、缩小设备体积，是推动能源革命和产业升级的关键技术。高质量、大尺寸的碳化硅单晶衬底制备技术壁垒极高，此前市场长期被少数国际巨头所主导。
此次瞻芯电子成功发布的6英寸碳化硅晶圆，是在其深厚的技术积累和持续的研发投入下结出的硕果。据披露，该产品在晶体质量、缺陷控制、表面加工精度等核心指标上均表现优异，达到了可量产的商业化标准，能够满足中高压功率器件（如MOSFET、SBD）的制造要求。这不仅打破了国外技术垄断，填补了国内在该尺寸高端碳化硅衬底领域的产业化空白，更意味着我国相关产业链在源头材料环节获得了自主保障能力。
业界专家指出，从4英寸到6英寸的跨越，并非简单的尺寸放大，而是晶体生长、加工工艺、质量控制等一系列技术的系统性提升。更大尺寸的晶圆能够显著提升芯片产出率，降低单个器件的制造成本，对于推动碳化硅器件在新能源汽车电驱、充电桩、工业电源等成本敏感型市场的规模化应用至关重要。瞻芯电子的这一突破，将有力带动国内下游设计、制造、封测等环节的协同发展，加速构建完整、有竞争力的碳化硅产业生态。
瞻芯电子的成功并非偶然，其所在的国际创新协同区提供了汇聚全球智慧、聚焦前沿科技的创新土壤。这一成就的取得，是我国长期坚持科技创新、攻坚核心技术“卡脖子”难题的缩影，也是市场导向、企业为主体、产学研深度融合创新体系效能的有力证明。
随着“碳中和”目标的推进和电气化进程的加速，市场对高效功率半导体的需求将呈爆发式增长。瞻芯电子首片国产6英寸碳化硅晶圆的面世，如同点亮了一簇关键的星火。它预示着中国半导体材料产业正迈入一个从跟跑到并跑、乃至领跑的新阶段，将为全球绿色能源技术和智能社会发展，贡献不可或缺的中国智慧与中国方案。前路漫漫，芯光已现，中国“芯”征程，值得更多期待。
